
在电子电路设计中,二极管的选择直接影响系统的稳定性与效率。齐纳二极管(Zener Diode)与肖特基二极管(Schottky Diode)是两种广泛应用的特殊二极管,它们在工作原理、性能参数和典型应用上存在显著差异。
齐纳二极管:基于齐纳击穿效应,在反向电压达到特定阈值(齐纳电压)时,电流急剧上升,实现稳定电压输出。常用于电压调节与过压保护。
肖特基二极管:利用金属-半导体结形成低势垒,正向导通压降低(通常0.15–0.45V),反向恢复时间极短,适用于高频开关电路。
| 参数 | 齐纳二极管 | 肖特基二极管 |
|---|---|---|
| 正向压降 | ~0.7V(硅基) | 0.15–0.45V |
| 反向恢复时间 | 较长(微秒级) | 极短(纳秒级) |
| 击穿电压范围 | 2.4V – 200V+ | 20V – 200V |
| 功耗与发热 | 较高(尤其大电流时) | 较低(高效能表现) |
齐纳二极管适用场景:
肖特基二极管适用场景:
若设计重点为“电压稳定”与“过压防护”,应优先选用齐纳二极管;若追求“高效率”、“快速响应”与“低功耗”,则肖特基二极管更优。在实际应用中,二者常协同使用,例如在电源前端用肖特基提高效率,后端用齐纳提供精确稳压。
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